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										| प्रोटॅान लिनेक विकास प्रभाग |  |  |  
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										| इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद (ई  सी आर)  आयन स्रोत 
 
												इलेक्ट्रॉन साइक्लोट्रॉन अनुनाद  (ई  सी आर) आयन स्रोत का व्यापक रूप से एकल और बहु चार्ज आयन बीम के उत्पादन के लिए उपयोग किया जाता  है । ईसीआर प्लाज्मा में,  जब डी. सी. चुम्बकीय क्षेत्र मे  इलेक्ट्रान, साइक्लोट्रोन आवृति से मेल खाता है, तब इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद के द्वारा प्लाज्मा उत्पन्न होता है ।   2.45 गीगाहर्ट्ज आवृति पर इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद प्रोटॅान स्त्रोत का डिजाईन एवं विकास किया है । इस स्रोत से  25 केईवी  बीम ऊर्जा पर 8 मिलीअंपिएर प्रोटॅान बीम का निष्कर्षण किया गया है । इस स्रोत में प्लाज्मा एवं निर्वात प्रणाली, माइक्रोवेव प्रणाली, विधुत चुम्बक एवं इसकी पावर सप्लाई, बीम निष्कर्षण प्रणाली मुख्य घटक है ।  प्लाज्मा कक्ष एवं निर्वात कक्ष मे  टर्बो मालेक्युलर पंप (500 लि/सें)  के द्वारा  ~10-6 मिलीबार का निर्वात उत्पन्न किया जाता है ।   6.35 मिमी व्यास वाले स्टेनलेस स्टील ट्यूब का उपयोग हाइड्रोजन गैस प्रवाह के लिए किया जाता है और प्लाज्मा उत्पादन के लिए प्लाज्मा कक्ष में 10-3 से 10-4 मिलीबार दबाव बनाए रखा जाता है।  माइक्रोवेव पावर के स्रोत के रूप में मैग्नेट्रॉन (2.45 गीगाहर्ट्ज, 2 किलोवाट) का उपयोग किया गया है।  माइक्रोवेव प्रणाली ड्व्लूआर-284 आयताकार वेवगाइड का उपयोग करके विकसित किया गया है।  प्लाज्मा उत्पादन एवं कनफाइनमेंट के लिए पानी से ठंडे तीन विद्युत चुम्बक का उपयोग किया गया है।  2.45 गीगाहर्ट्ज पर इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद के लिए 875 गॉस चुम्बकीय क्षेत्र की आवश्यकता होती है।  प्रोटोन बीम निष्कर्षण के लिए तीन इलेक्ट्रोड ( प्लाज्मा इलेक्ट्रोड, निष्कर्षण इलेक्ट्रोड एवं ग्राउंड इलेक्ट्रोड) ज्यामिति का उपयोग किया गया है।  निष्कासित प्रोटोन बीम का मापन फेराड़े कप से किया जाता है। इस इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद आयन स्रोत के डिजाईन पैरामीटर नीचे तालिका मे दिये गए हैं। 
												 
														
															| इलेक्ट्रॉन साइक्लोट्रॉन अनुनाद (ई  सी आर) आयन स्रोत के डिजाईन पैरामीटर |  
																| विवरण | डिजाईन पैरामीटर |  
																| बीम ऊर्जा | 50 केईवी |  
																| बीम धारा | 30 मिलीअंपिएर निरंतर |  
																| कण | H+ |  
																| माइक्रोवेव आवृति | 2.45 गीगाहर्ट्ज |  
																| चुंबकीय क्षेत्र (इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद) | 875 गॉस |  
																| इमीटेंश ( आरएमएस - नोरमालाइज्ड ) | ≤ 0.2 π मिलिमीटर -मिलीरैड |  |  
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														  इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद आयन स्रोत का फोटोग्राफ   
													    इलेक्ट्रान साइक्लोट्रोन अनुनाद आयन स्रोत का मॉडल  |  
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